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SIB912DK-T1-GE3中文资料

  • 大小：232KB
  • 厂家：
  • 描述：MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 阵列
  • 系列：TrenchFET®
  • FET 型：2 个 N 沟道（双）
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.5A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：216 毫欧 @ 1.8A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：3nC @ 8V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：95pF @ 10V
  • 功率 - 最大：3.1W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：PowerPAK? SC-75-6L 双
  • 供应商设备封装：PowerPAK? SC-75-6L 双
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：SIB912DK-T1-GE3TR

SIB912DK-T1-GE3供应商

更新时间:2023-01-01 09:32:27
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SI4936DYSMBJ6.5CA-E3/52SI4936CDY-T1-GE3SN74LVC1G3157YZPRSPW24N60C3S1FLM-GS08SMAJ18CASN74HCT08DRSP0502BAHTGSN74AHC1G04DCKR

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